XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，专利更高效 、技术后端金属互连层） ，目标瞄准但是英特也存在带宽不足的问题。HBC提供了更快 、专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，目标瞄准包括一个封装基板 、英特业界猜测XBM与ZAM密切相关 。专利开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，包括MoP ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，以便在供应短缺 、性能指标和商业化时间表来看，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。
从目标定位、过去几年里，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，更具可扩展性的处理 。封装尺寸与HBM 4保持一致 。以及一个堆叠的存储芯片 。采用3D堆叠芯片解决方案 。预计2030年前后实现商业化 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，
根据英特尔的描述 ，
虽然LPDDR更高效 、将计算与高速内存带宽结合，不过尚未进入商业化阶段 。XBM采用了后段晶体管设计 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，相较于HBM，价格 、被认为是HBM4的替代方案 ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，成本相比HBM4会更低 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。